Desde Hays nos encontramos en búsqueda de un/a Ingeniero/a de Diseño de Dispositivos (GaN y LNOI).

Buscamos perfiles con estos conocimientos:

• Física de semiconductores (GaN, LNOI, III-V...)
• Dispositivos activos: transistores, moduladores, guías de onda
• Simulación con TCAD, COMSOL, Lumerical, etc.
• DRC, layout y compatibilidad con procesos de fabricación

Requisitos del puesto:

• Ingeniería en Tecnologías de Telecomunicación (especialidad en fotónica o micro/nanoelectrónica) / Ingeniería Electrónica Industrial y Automática/ Ingeniería en Tecnologías Industriales (con máster orientado a dispositivos o microtecnología / Física (especialidad en materia condensada, fotónica o dispositivos)/Ingeniería Física/Máster/Doctorado en Fotónica, Microelectrónica, Nanotecnología o Semiconductores.
• Experiencia previa en diseño dispositivos electrónicos.
• Mínimo nivel B2 inglés.
  
  

Qué obtendrás a cambio:

• Contrato indefinido.

• Desarrollo profesional en proyecto puntero.

• Salario competitivo.

Tu siguiente paso :

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